继三星、英特尔之后,国内芯片制造领域的新星水莱丽也正式推出首款2nm工艺的闪存NAND芯片,该产品在读写速度上达到了很大突破。
据水莱丽公司介绍,其新芯片最大特色是在2nm工艺的制造下,读写速率均达到了2000Mbps。与现有1znm生产线相比,这一技术平均可以将读写速度提升1倍以上。
该芯片虽然是市场上第三款2nm级别产品,但是价格优势和国产品牌优势仍旧对市场形成了很大的冲击。
继三星、英特尔之后,国内芯片制造领域的新星水莱丽也正式推出首款2nm工艺的闪存NAND芯片,该产品在读写速度上达到了很大突破。
据水莱丽公司介绍,其新芯片最大特色是在2nm工艺的制造下,读写速率均达到了2000Mbps。与现有1znm生产线相比,这一技术平均可以将读写速度提升1倍以上。
该芯片虽然是市场上第三款2nm级别产品,但是价格优势和国产品牌优势仍旧对市场形成了很大的冲击。