场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，广泛应用于电子技术中的放大、开关和调节电压的功能。其工作原理是利用电场对半导体中载流子的控制，实现信号的放大和调节。
场效应管的工作原理主要涉及到沟道、栅电极和漏极三个关键元件。
首先，沟道是电子流通的通道，位于半导体中。当外加电压施加在沟道两端时，沟道内会形成电子浓缩层，从而控制电流的流通。
其次，栅电极是用来控制沟道中电子浓度的元件。当栅电极施加电压时，电场会影响沟道中的电子浓度，从而改变电流的大小。
最后，漏极是场效应管中电子流的出口。
总结来说，场效应管的工作原理是通过栅电极施加电场，控制沟道中的电子浓度，从而调节电流的流通。
在电子技术领域，场效应管具有可靠性高、工作频率宽、响应速度快等优点，被广泛应用于放大器、开关、变压器和直流-直流转换器等电路中。
